Японские ученые из Университета Каназавы добились значительных успехов в области разработки памяти RAM с изменяемым фазовым состоянием (Phase Change RAM, PRAM), которая в перспективе может стать альтернативой флэш-памяти.

В памяти PRAM для хранения информации применяется нестандартный подход - свойство халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а другой - кристаллический проводник. Изменение фаз осуществляется путем приложения электрического потенциала, при этом сама память является энергонезависимой.

Разработка памяти с изменяемым фазовым состоянием ведется на протяжении нескольких последних лет. Однако до недавнего времени считалось, что такая память не сможет составить серьезную конкуренцию флэш-памяти из-за ряда ограничений (недостаточное количество циклов переключения между фазами и пр.). Однако японским исследователям удалось существенно улучшить характеристики PRAM. Как сообщает The Inquirer со ссылкой на Nikkei Business Daily, образец, созданный учеными, обеспечивает в 1000-10000 раз больше циклов переключения между фазовыми состояниями по сравнению с обычными модулями PRAM и выдерживает до 400000 циклов перезаписи. Прототип изготовлен из материала на основе сурьмы, селена и теллура.

Альтернативу флэш-памяти разрабатывают и специалисты фирмы Freescale Semiconductor. Правда, Freescale Semiconductor применяет так называемые кремниевые нанокристаллы (тонкопленочные устройства хранения данных). Недавно компания продемонстрировала образец тонкопленочного ЗУ емкостью 24 Мбит. Впрочем, о сроках массового производства чипов с использованием методики кремниевых нанокристаллов ничего не сообщается.

Обсудить эту новость на форуме